職種
電気・電子・機械・半導体 > 回路・システム・半導体設計・光学関連 > デジタル回路設計
勤務地
関西 > 京都府
業種
| ポイント | マイナビ転職AGENTおすすめの求人です |
| 仕事内容 |
化合物半導体（SiC／GaN）を用いたパワーデバイスの設計・開発を担っていただきます。
デバイス構造の検討からシミュレーション、試作評価、量産移管まで、開発プロセス全体に携われるポジションです。 ＜具体的な業務内容＞ ・SiC／GaNパワーデバイス（MOSFET、SBD 等）の構造設計およびデバイスシミュレーション ・TCADを用いた特性解析・パフォーマンス最適化 ・試作品の作製および電気的・熱的特性評価 ・顧客要求や用途条件の整理・分析、製品仕様の検討 ・量産立ち上げに向けたプロセス部門・外部パートナーとの技術連携、最適化検討 ※ご経験やご志向に応じて、将来的には開発工程内の他領域へ業務範囲を広げていただくことも可能です。 ■入社後のキャリア 設計・評価・プロセス連携など、パワーデバイス開発における複数フェーズを経験しながら、 専門性を深めるキャリア、または開発全体を俯瞰できるエンジニアとしての成長を目指せる環境です。 ご本人の志向に応じて、担当領域の変更・拡張にも柔軟に対応します。 ■身に付くスキル S(その他詳細は面談にてお伝えします)（その他詳細は面談でお伝えします） |
| 求める人材 |
【必須要件】
◎SiC、GaN、またはシリコンパワーデバイスの開発経験（3年以上） ◎TCAD（Synopsys， Silvaco等）経験者 ◎半導体デバイス物性・電気特性の知識 ★本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし！ ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。 ★国内外各地からメンバーが集まっております！（その他詳細は面談でお伝えします） |
| 勤務地 | 京都府 |
| 給与 | 500～700万円 |
| 雇用・契約形態 |
正社員
正社員 |
| 待遇・福利厚生 | その他制度 |
| 勤務時間 | 求人紹介時に詳しくお伝えいたします。 |
| 休日・休暇 | 祝日/有給休暇/その他休暇/完全週休2日制（土・日） |
| 募集背景 |
部門・体制強化の為
体制強化のため求人紹介時に詳しくお伝えいたします。 |
| 掲載期間 | 2026.09.11 ～ 2026.11.05 |
| 更新日 | 2026/09/11（金） |
| 企業名 | Anjet Research Lab株式会社 |
| 設立 | 43800 |
| 従業員数 | 非公開 |
| 資本金 | 7，000万円 |
| 売上高 | 非公開 |
| 事業内容 |
Si（シリコン）、SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム）といった材料を用いた、次世代パワー半導体デバイスの設計・研究開発を行うファブレス半導体企業です。
地球温暖化対策やCO2排出削減、省エネルギー化が世界的な課題となる中、電気エネルギーの変換効率を飛躍的に高めるパワー半導体の開発を推進。自動車、鉄道、スマートグリッドなど多様な分野におけるエネルギーの高度利用を実現し、グリーンテクノロジー領域のパラダイムシフトに貢献することをミッションとしています。 同社の特長は、単なるデバイス設計にとどまらず、日本・台湾・アメリカなど世界各国のファウンドリーメーカーやデザインエンジニアと密に連携し、アプリケーションに最適化されたパワーデバイス（Si、SiC、GaN）の開発を行っている点です。大手半導体メーカー出身で20～30年の実務経験を有するエンジニアがチームを構成し、デバイスお(その他詳細は面談にてお伝えします)（その他詳細は面談でお伝えします） |
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