こちらは、 過去にマイナビスカウティングに掲載されていた、募集が終了している求人情報です。

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【化合物半導体エピタキシャル成長技術開発/横浜】住友電工G / 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 / 半導体・電子・電気機器メーカー

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450万円~800万円

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神奈川県

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生産技術・製造技術

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半導体・電子・電気機器メーカー

正社員 英語を使う仕事 年間休日120日以上 フレックス勤務

募集要項

ポイント 【入社時引越し費用全額負担/寮社宅完備/選考時交通費全額負担/WEB選考可/東証プライム上場住友電工グループ】
■グローバルマーケットで上位を争う事業を複数展開。インフラ市場に次世代ソリューションを提供。
仕事内容 「【化合物半導体エピタキシャル成長技術開発/横浜】住友電工G」のポジションの求人です
【期待する役割】
次世代通信インフラを支える高周波GaN HEMTデバイスの中核技術であるエピタキシャル結晶成長において、
研究開発から量産展開までを一貫して担っていただくポジションです。
単なる研究に留まらず、実用化・量産化を見据えた技術確立と生産現場への展開を通じて、
世界トップクラスの化合物半導体デバイス競争力の強化に貢献いただくことを期待しています。

【業務内容】
高周波GaN HEMT向けエピタキシャルウェハに関する技術開発および量産対応を担当していただきます。
■高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの構造設計
■GaN HEMT向けエピタキシャル成長技術の研究・開発
■成膜条件の最適化、特性評価、課題抽出および改善検討
■生産技術開発および量産ラインへの技術移管・展開
■新規プロセス装置の選定、導入、立ち上げ対応
■関係部門(デバイス・製造・品質等)との連携による量産安定化推進
※研究テーマを「成果」で終わらせず、量産技術として定着させる経験が積める環境です。

【配属部署】
電子デバイス事業部プロセス開発部
求める人材 【必須要件】
以下いずれかのご経験をお持ちの方
■半導体ウェハのエピタキシャル成長に関する研究・開発経験
■半導体プロセス装置の選定・導入・立ち上げ経験
■半導体プロセス技術(成膜、エッチング等)に関する実務経験

加えて、以下を満たす方
■英語による基礎的なコミュニケーション能力(TOEIC500点程度または同等レベル)
【歓迎要件】
■高周波向け化合物半導体エピタキシャルウェハの知識・経験
■GaN HEMT用エピタキシャル成長技術の開発経験
■エピウェハの生産技術開発および量産ライン展開の経験
■研究成果を製品・事業に結びつけた経験をお持ちの方
勤務地 神奈川県
横浜市栄区金井町1番地

給与・待遇

給与 年収 450 ~ 800 万円
経験・スキルに応じて変動の可能性があります
雇用・契約形態 正社員

勤務時間・休日

勤務時間 08:30~17:15
休日・休暇 週休二日(土日)GW連休、8月連休、年末年始連休等

その他

募集背景 新規募集の為
増員のための募集になります。詳細につきましてはご面談時にお伝え致します。
おすすめポイント 【入社時引越し費用全額負担/寮社宅完備/選考時交通費全額負担/WEB選考可/東証プライム上場住友電工グループ】
■グローバルマーケットで上位を争う事業を複数展開。インフラ市…
コンサルタントからのコメント パソナキャリアがおすすめする求人です。こちらの求人案件以外にも各業界の非公開求人を多数保有しております。非公開求人は、エントリー後の面談にてご紹介可能ですので、転職をお考えの方は、是非エントリーください。
掲載期間 2026.02.16 ~ 2026.03.01
更新日 2026/02/16(月)

企業情報

企業名 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
設立 1976年
従業員数 1501
資本金 15,000百万円
売上高 非公開
事業内容 事業概要: 化合物半導体を使用した電子デバイス及び光デバイス並びにこれらの応用製品の開発・製造

求人の取り扱いコンサルタント

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山本 里美

面接トレーニングに自信、 レジュメ指導に自信

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